低能电子与N<,2>分子振动共振激发散射截面的收敛性研究
本文分为五个部分。
第一部分简单介绍了研究电子与分子激发散射的目的和意义，并对电子分子激发散射的作用机制和常用的理论方法作一概述。
第二部分对密耦合方法进行了简要介绍，对其理论所考虑的物理前提、数学推导等都有重点的叙述。
第三部分中，对静电、交换和相关极化势进行了介绍，尤其是截面影响较大的极化势模型，包括BTAD极化势模型和DSG模型，进行了重点介绍。
第四部分，分别采用两种模型，对低能电子与N<,2>分子的高振动激发散射截面的收敛性进行了详细的研究。
第五部分总结了我们的工作。基于密耦合方法计算的散射截面，部分参数对最终截面有很大影响；其中，振动波函数数目和分波数目是起主要作用的两个。研究表明，选取Nv=20，M<,1>=18，可以保证高振动激发(0→9、1→9、2→9等)散射截面的收敛。在截面收敛的基础上，将理论计算结果与实验值作了比较，验证了密耦合方法、BTAD和DSG极化势模型在高振动激发散射上的有效性。
电子分子散射;共振激发;密耦合;极化势;收敛性
四川大学
硕士
原子与分子物理
孙卫国
2006
中文
O561.4
98
2007-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）