TiO<,2>多孔薄膜的表面修饰及其光电化学性能
本论文采用了一种新修饰方法，成功获得利用吡啶分子修饰TiO2多孔薄膜的产物。
通过先在400℃抽真空条件下使得TiO2多孔薄膜表面形成悬垂键，然后利用吡啶分子与活泼的悬垂键反应，获得吡啶修饰的TiO2多孔薄膜。FTIR和XPS结果表明吡啶通过Ti-N化学键与Ti相连。
与未修饰前的TiO2多孔薄膜相比，吡啶修饰的TiO2多孔薄膜在可见光范围的吸收有所增加。其原因归结为吡啶与TiO2中Ti形成电子耦合。Mott-Schottky测试、可变电势光谱法和零电流电势研究表明：与未修饰的TiO2多孔薄膜相比，吡啶修饰的TiO2多孔薄膜的平带电位向更正的方向移动。这种现象的出现是由于在TiO2多孔薄膜表面形成Ti-R(R=吡啶)。并且这种平带电位正移现象在利用其他有机分子，如1-甲基咪唑、吡咯和噻吩修饰后的TiO2多孔薄膜中也能发现。
研究了吡啶修饰的TiO2多孔薄膜的光(电)化学稳定性。在-2.0V～2.0V区域中对吡啶修饰的TiO2多孔薄膜进行电势扫描，未发现吡啶的氧化峰或者脱附峰。并且在持续光照下通过光电流—电压测试所获得吡啶修饰的TiO2多孔薄膜的光电流和平带电位也基本不变。这些事实表明吡啶修饰的TiO2多孔薄膜具有较高的光电化学稳定性。
二氧化钛;多孔薄膜;表面修饰;吡啶分子;平带电位
北京化工大学
硕士
应用化学
贾建光
2006
中文
O484.4
48
2006-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）