SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究
SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题,SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点,被誉为"21世纪的硅集成电路技术".该论文根据国家973项目、国家自然科学基金项目、军工预研项目等国家任务的需要,开展了SOI自加热效应及抗总剂量辐射加固技术的研究.
自加热效应;夹心埋层结构;SOIM结构;总剂量辐射效应;MEDICI模拟
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
博士
微电子学与固体电子学
林成鲁;张正选
2004
中文
TN303
130
2005-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）