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  • 封面
    文摘
    英文文摘
    学位论文独创性声明及学位论文使用授权声明
    第一章引言
    第二章GaSb中红外量子阱材料结构设计、分子束外延及其光学性能
    §2.1中红外锑化物量子阱半导体激光器
    §2.1.1量子阱、超晶格
    §2.1.2中红外锑化物量子阱半导体激光器研究现状
    §2.2分子束外延
    §2.3存在问题
    §2.4 In0.35Ga0.65Sb/In0.35Ga0.65As0.1Sb0.9/In0.35Ga0.65Sb/Al0.35Ga0.65Sb量子阱设计
    §2.4.1晶格常数和晶格失配
    §2.4.2禁带宽度
    §2.4.3量子阱能带结构
    §2.5分子束外延生长
    §2.5.1分子束外延生长工艺
    §2.5.2生长速率和束流的测量、校准
    §2.5.3 Ⅴ/Ⅲ束流比
    §2.5.4衬底生长温度
    §2.5.5量子阱结构生长
    §2.6量子阱的光致发光
    §2.6.1快门开关顺序对量子阱光致发光的影响
    §2.6.2外延层厚度对量子阱光致发光的影响
    §2.6.3不同温度和激发功率下的量子阱PL特性
    §2.7结论
    参考文献
    第三章AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)研究
    §3.1异质结双极晶体管
    §3.1.1异质结特性
    §3.1.2异质结双极晶体管（HBT）原理
    §3.1.3异质结双极晶体管（HBT）特性
    §3.2 AlGaInP/GaAs HBT
    §3.3存在问题
    §3.4 AlGaInP/GaAs HBT制备
    §3.4.1 AlGaInP/GaAs HBT工艺
    §3.5电学特性的测量
    §3.6集电结能带结构
    §3.7 AlGaInP/GaAs HBT的电学性能
    §3.7.1 AlGaInP/GaAs HBT输出特性
    §3.7.2 AlGaInP/GaAs HBT Gummel图
    §3.7.3 AlGaInP/GaAs HBT的开启电压
    §3.8结论
    参考文献
    第四章欧姆接触电阻率测试仪研制及GaAs欧姆接触研究
    §4.1金属-半导体接触
    §4.1.1金属-半导体接触输运机理
    §4.1.2接触电阻率
    §4.1.3欧姆接触的质量评价
    §4.1.4金属-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的制作
    §4.1.5 n-GaAs的欧姆接触
    §4.2欧姆接触电阻测试仪研制
    §4.2.1各欧姆接触电阻率测试方法原理
    §4.2.2欧姆接触电阻率测试仪结构
    §4.2.3欧姆接触电阻率测试程序
    §4.3 29Si+注入n-GaAs欧姆接触研究
    §4.3.1 29Si+注入n-GaAs制备
    §4.3.2 29Si+注入n-GaAs欧姆接触流片工艺
    §4.3.3 29Si+注入n-GaAs欧姆接触电阻率
    §4.4小结
    参考文献
    第五章结论
    发表文章
    个人简介
    致谢
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GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究

李冰寒
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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引用
Ⅲ-V族化合物半导体由于它们具有独特的能带结构和性质,在微波器件、光电器件、霍尔器件和红外元件等方面得到了广泛的应用.其中,GaAs基材料是目前研究最为成熟同时也是最重要的Ⅲ-V族化合物半导体材料,GaSb基材料则是中红外光电子器件的首选材料.该论文主要对GaSb基材料的分子束外延生长以及GaAs基材料在器件方面的应用进行了研究.内容包括:锑化物量子阱的分子束外延生长研究,AlGaInP/GaAs HBT直流特性研究,n-GaAs/AuGeNi欧姆接触研究;另外,该论文还研制了欧姆接触电阻率测试仪.

半导体材料;量子阱;电子器件

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

博士

微电子学与固体电子学

夏冠群

2004

中文

TN304

110

2005-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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