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第一章引言
1.1GaAs材料的特性
1.2异质结双极晶体管(HBT)概述
1.2.1 HBT的特点
1.2.2 HBT的工作原理
1.2.3 HBT的基本特性
1.3不同材料系统的HBT
1.3.1 SiGe HBT
1.3.2 AlGaAs/GaAs HBT
1.3.3 GaInP/GaAs HBT
1.3.4 AlGaInP/GaAs HBT
1.3.5 InGaAs/InPHBT
1.4 HBT在高温/高功率中的应用
1.5论文的研究目的及内容
参考文献
第二章HBT器件欧姆接触特性的研究
2.1引言
2.2欧姆接触理论
2.2.1金属-半导体接触
2.2.2电流传输机理
2.2.3输运方程
2.2.4欧姆接触电阻的计算公式
2.3比接触电阻测试方法
2.4欧姆接触制作工艺
2.5 Ti/W/Ti/Au与HBT发射极n-GaAs的欧姆接触
2.5.1实验
2.5.2结果与讨论
2.5.3结论
2.6 Mo/W/Ti/Au与HBT发射极n-GaAs的欧姆接触
2.6.1实验
2.6.2表面处理对电学性能的影响
2.6.3结构特性研究
2.6.4结论
2.7本章小结
参考文献
第三章HBT器件的设计制作与模型
3.1引言
3.2 HBT的器件结构与制作
3.3 HBT器件模型
3.3.1理想HBT的输运机理
3.3.2 HBT的复合电流
3.3.3 HBT的BC结反向电流
3.4 HBT的自加热效应与温度分布
3.4.1 HBT的自加热效应
3.4.2 HBT的温度分布
3.5小结
参考文献
第四章AlGaInP/GaAs HBT的直流特性及高温特性
4.1引言
4.2 AlGaInP/GaAs HBT的优点
4.3 AlGaInP/GaAs HBT的设计
4.4 AlGalnP/GaAs HBT的直流特性
4.4.1输出特性曲线
4.4.2 Gummel图
4.5 AlGalnP/GaAs HBT的高温特性
4.5.1输出特性曲线
4.5.2发射结二极管特性
4.5.3集电结二极管特性
4.5.4比接触电阻
4.6小结
参考文献
第五章结论
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致谢
作者简历

砷化镓基高温HBT器件及其特性研究

刘文超

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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引用

摘要：

GaAs基HBT具有其优良的频率特性,使得它在微波及毫米波领域有着广泛的应用.同时,GaAs基HBT因其异质结构具有较大的△E<,g>,在高频功率方面有着广泛的应用前景.目前,GaAs基HBT的使用温度远未达到其理论极限.该论文以提高欧姆接触的高温可靠性入手,着重对高温HBT器件及其特性进行了研究.

关键词：砷化镓;异质结双极晶体管;AlGaInP/GaAs;直流特性;高温特性

授予单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

授予学位：博士

学科专业：微电子学与固体电子学

导师姓名：夏冠群

学位年度：2004

语种：中文

分类号：TN303

页数：112

在线出版日期：2005-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）