PZT铁电厚膜的新型Sol-Gel制备技术及其性能研究
该文在系统总结和全面分析PZT铁电薄、厚膜研究现状的基础上,深入研究了PZT铁电薄、厚膜材料的Sol-Gel制备技术,系统地研究了Sol-Gel工艺条件对材料的微观结构和电性能的影响.对PZT厚膜铁电声纳换能器的结构进行了设计,并探索了其制作工艺,为高性能PZT厚膜声纳换能器的开发与应用奠定了良好的基础.PZT铁电薄膜采用改进的Sol-Gel法制备.采用改进的Sol-Gel工艺,制备出结晶良好、化学组成精确、颗粒分散性好、粒径约为20~30nm的PZT超细粉.研究了Sol-Gel法制备RZT陶瓷超细粉的热处理温度和保温时间对粉末的结晶、粉体形貌及粒径的影响.PZT铁电厚膜采用新型Sol-Gel法制备.研究了制备0-3型PZT厚膜材料的新型Sol-Gel技术和其工艺条件对PZT厚膜的微观结构及电性能的影响,并探讨了PZT厚膜生长与厚膜致密性机理.设计了8×8元阵列PZT厚膜声纳换能器芯片结构.
新型Sol-Gel技术;锆钛酸铅PZT;铁电薄膜;铁电厚膜;陶瓷超细粉;铁电声纳换能器;粉体分散技术;湿法化学刻蚀
华中科技大学
博士
微电子学与固体电子学
刘梅冬
2002
中文
TN401
100
2004-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）