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含给体--受体聚硅氧烷的合成及其柔性三元存储性能研究

傅林
北京化工大学
引用
随着信息容量的增长,传统的硅基存储器将要不能满足信息存储的要求,与此同时,人们对于电子设备的追求朝着微型化和可穿戴化发展。当前迫切需要寻找新的方法同时满足高密度存储和微型可穿戴的需求。近年来基于有机材料的三元有机电存储器件吸引了研究人员的关注,其多元存储以及有机材料的柔韧性有希望解决上述问题。  本实验中设计合成了含一个电子给体和两个电子受体侧基的聚硅氧烷PBTPASi,通过对PBTPASi的DCS和TG测试表明其具有较好的热稳定性,AFM测试表明了PBTPASi具有良好的成膜性,CV测试和分子模拟确定了PBTPASi合适的能级分布和能隙值。然后分别以PBTPASi和现有的含有萘酰亚胺并咪唑受体和咔唑受体侧基的交替聚硅氧烷P(INDISi-alt-CzSi)为活性层制备了柔性存储器件。通过J-V测试,证明了所制备存储器件Al/PBTPASi/ITO/PET和Al/P(INDISi-alt-CzSi)/ITO/PET均为三元存储器件,其开关电压ON1,ON2分别为:0.75V,1.35V和0.5V,1.0V;开关电流比分别为:106∶104∶1和105∶102∶1,且两种存储器件都具有较好的稳定性和响应时间,具有较好的三元存储性能。此外,通过对器件的弯曲和老化处理后的J-V测试,表明了器件的三元存储特性不会因为弯曲和老化而改变,具有较好的柔性稳定性。进一步对器件的存储机理进行解释,针对两种聚硅氧烷的不同侧基结构,分别使用构象转变后电荷转移和电荷陷阱机理进行解释,并使用XRD,紫外-可见光谱和荧光光谱等手段证明了所提出三元存储机制。

聚硅氧烷;合成工艺;热稳定性;成膜性;能级分布;能隙值;柔性存储器件

北京化工大学

硕士

化学

任忠杰

2019

中文

TQ264.17

2019-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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