集成电路等离子体溅射磁控管旋转轨迹控制系统
当今设备集成电路产品得到了广泛应用，物理气相沉积装备是集成电路生产线上主要设备的组成部分之一。物理气相沉积设备的性能指标主要为:靶材利用率和薄膜均匀性。影响这两项指标的关键技术是磁控管的旋转轨迹。如何控制磁控管的旋转轨迹不仅是当今一个重要课题更是科技强国的一种体现。 PLC及电机驱动器是控制旋转磁控管的关键部件，它影响运行速度及精度。轨迹方程和插补算法是控制旋转磁控管的核心，它影响轨迹匹配度及误差纠正，因此选择合适的算法非常重要。 对上述提出的难点本课题进行了深入的分析和研究，提出了可提高靶材离化率和薄膜材料均匀性的控制方法。 本论文首先讲解了轨迹方程及插补算法的原理，为后续系统实现提供了理论基础。 其次介绍了整机控制系统架构，重点对硬件结构部分设计、电气硬线连接设计和控制程序设计进行阐述。在程序设计环节重点对软件架构、开发环境、原点搜索、插补过程计算和报警处理进行流程介绍。 最后用Matlab软件对图形轨迹进行了仿真。并实际运用到试验平台上，实现了数据轮廓图形信息的收发，完成了轨迹图形的绘制，提高了靶材离化利用率由24.8％提高到55.1％和镀膜均匀性由14.13％提高到5.66％，验证结果满足工艺需求。
集成电路;磁控管;轨迹方程;插补算法;控制系统;靶材离化率;薄膜均匀性
北京化工大学
硕士
控制工程
李宏光;夏威
2017
中文
TN405
67
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）