CuSCN和Cu2O纳米结构薄膜的制备及性能研究
CuSCN是一种本征p型宽禁带半导体，禁带宽度为3.6eV，在可见光区是透明的;Cu2O也是一种本征为p型的半导体，禁带宽度为2.17 eV，在可见光区有较高的光吸收。CuSCN和Cu2O都是Cu基半导体材料，具有无毒、成本低廉、存储量丰富等优点，并且CuSCN和Cu2O纳米薄膜在太阳能电池、异质结、光催化、气体传感器等方面具有广阔的应用前景。然而，采用简单的方法制备稳定可靠的大面积均匀p型CuSCN纳米薄膜和Cu2O纳米线薄膜仍然是目前研究的难点。 本文采用固液界面原位生长法制备了CuSCN纳米薄膜和Cu2O纳米线网络结构薄膜，研究了其光学性能、磁性能、光致发光性能。本文主要工作列举如下: 1、采用真空热蒸镀的方法制备均匀的Cu薄膜，然后将其浸泡在硫氰酸盐溶液中，制备出大面积均匀的CuSCN薄膜。我们研究了不同的硫氰酸盐、反应时间、反应温度等对CuSCN形貌的影响，最后还研究了CuSCN薄膜的光学性能。 2、在制备CuSCN薄膜的过程中，发现了一种奇怪的变色现象。然后，我们设计实验，并解释了这种现象的原因，证实了CuSCN薄膜的岛状生长机理。 3、发现CuSCN纳米薄膜对结晶紫有荧光淬灭效应，随后用Raman光谱对这种效应进行了详细的研究，提出了一种合理的解释。 4、发现CuSCN纳米薄膜与NaOH反应生成了Cu2O纳米线网络薄膜，研究了NaOH浓度对Cu2O纳米线形貌的影响，并对其光电性能进行测试，以便进一步研究基于Cu2O纳米线网络的光电器件。 5、通过商业化的CuSCN粉末与NaOH的反应制备了大量的Cu2O纳米线，对其工艺参数进行了初步优化，研究了其光致发光、热稳定性和磁性能。
纳米结构薄膜;硫氰酸亚铜;氧化亚铜;制备工艺;材料性能
复旦大学
硕士
物理电子学
徐伟
2014
中文
TN304.055
79
2016-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）