N型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术研究
本文介绍了n型宏孔硅光电化学腐蚀机理，研究了腐蚀电流与宏孔硅孔径之间的对应关系。结果表明当临界电流密度一定时，孔径随腐蚀电流的增大而增大。分析了临界电流密度的影响因素，发现临界电流密度的大小受到温度、HF酸浓度等外界因素影响，进而影响孔径的大小。由于腐蚀电流受光照强度控制，本文提出通过调整光强进而控制宏孔孔径的自动控制方法，进行了电流自动控制系统的软硬件设计。在硬件设计中，电流控制模块采用PWM驱动BUCK电路的方式调整LED阵列光源的电流;温度模块采用IR2111驱动TEC控温。在软件设计中，应用LabVIEW软件设计平台，设计了由串口通信、数据转换、数据处理及显示模块组成的上位机电流自动调控系统。经实验验证，本套系统可以通过调节腐蚀电流制备出不同孔径的宏孔硅。
宏孔硅;临界电流密度;孔径控制;光电化学腐蚀
长春理工大学
硕士
微电子学与固体电子学
王国政
2014
中文
TN305.2
69
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）