锑化物的外延生长及其物性研究
本文主要研究内容是GaSb的同质/异质外延生长和材料的表征和物性分析，利用同质外延指导异质外延的生长。具体如下:采用分子束外延在GaAs/GaSb衬底上同质/异质外延上生长GaSb薄膜，在外延生长过程中，我们利用RHEED对生长过程进行监测，记录下各种衍射震荡图，确定了生长速率、Ⅲ/Ⅴ束流比，并且对生长的各个参数进行了优化;然后采用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜、PLmapping等设备对外延片的质量进行光学、电学、形貌方面的测试。结果表明GaSb异质外延外延片的结晶质量和表面形貌效果良好，并且电学质量也达到了预期的目标。 得到的结论是:采用GaSb作为缓冲层的最佳生长速率是414nm/h，AFM表面形貌得到表面粗糙在0.6个nm左右，从PL光致发光可得到光峰强度在0.726eV，所需的能量比较小，GaSb薄膜从发光光谱这个角度来讲，是非常理想的。最后用HALL测试对材料的掺杂和衬底温度进行了优化。
分子束外延;异质外延;锑化物;物性分析;外延生长
长春理工大学
硕士
物理电子学
曲轶
2014
中文
TN304.22;TN304.054.46
48
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）