硅微通道阵列通透结构释放与整形技术研究
硅微通道板属于第三代微光像增强器，它在多个研究领域均有着重要的应用价值，已经成为各国学者研究的焦点。本文围绕高性能硅微通道阵列的制备工艺和各向异性腐蚀对孔道形貌的影响。 (1)开发出了新的实现硅微通道结构释放的工艺，新工艺通过使用真空填蜡的方法，成功用化学机械抛光代替湿法背部减薄来实现硅微通道的结构释放，不仅降低了工艺步骤，而且大幅提高了成品率，使结构释放后的硅片盲孔率只有3.82×10-4％。 (2)研究了不同腐蚀浓度和温度下硅微通道各向异性腐蚀的形貌变化，并在TMAH浓度为1％，温度为40℃条件下，成功制备出了正方形结构的硅微通道。
湿法腐蚀;硅微通道阵列;通透结构;整形技术;孔道形貌
长春理工大学
硕士
物理电子学
端木庆铎
2014
中文
TN223;TN204
52
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）