GaN-LED芯片上ITO膜的研究
ITO作为一种透明电极，不仅具有较好的导电性，而且在可见光波段具有较高的透射率，是比较合适的电极材料。 本文用磁控溅射的方式沉积ITO膜，通过改变磁控溅射的O2含量、溅射功率、衬底温度等工艺条件，制备出厚度相同的ITO膜。实验表明方块电阻和透过率均随着O2含量的的增加而增加，且O2含量越多，晶粒越大表面越粗糙;升高的衬底温度使方块电阻增大，而对透射率影响很小;溅射功率的增大使方块电阻和透射率降低，这归因于增加的载流子浓度。 为了得到能与P型GaN有较好欧姆接触的ITO透明电极。本文制备含有不同厚度Ag(0.5、2、4nm)的Ag/ITO多层膜沉积在以蓝宝石为衬底的外延片上并与P-GaN相接触，并经过一定的退火处理。研究了Ag厚度、退火温度、退火时间对Ag/ITO多层膜的透过率、方块电阻和接触电阻率的影响。实验结果表明掺入层Ag的厚度显著影响透过率的大小，I-V的测试结果表明Ag/ITO多层膜退火后的的方块电阻以及与P-GaN间的接触电阻比ITO膜的方块电阻和其与P-GaN间的接触电阻要小很多。Ag(0.5nm)/ITO多层膜在600℃的压缩空气下退火10分钟，测得的其与P-GaN的接触电阻为～1.386×10-4Ω·cm2，方块电阻为～11Ω/sq，并且在455nm波长的透过率超过90％。这样光电性能优良的Ag/ITO膜作为P型透明电极应用于大功率LED有广阔的前景。
GaN-LED芯片;ITO膜;磁控溅射法;透明电极;欧姆接触;光电性能
长春理工大学
硕士
光学工程
王玉霞;王敏锐
2013
中文
O484.1;O484.4
47
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）