Zn扩散制备GaSb PN结的工艺及物性研究
GaSb禁带宽度低(0.72eV)，对红外光响应度高，能够用于红外光电二极管等光伏器件，尤其是近年来热光伏(TPV)电池技术的发展，使得GaSb成为TPV电池最有希望的材料之一。TPV系统的关键在于热光伏电池的制备，而热光伏电池关键在于PN结的制备。目前制备GaSbPN的方式通常是在N-GaSb衬底表面扩散Zn，使得扩散层反型为P型，形成PN结。 目前实验室大多采用气相扩散制备GaSbPN结，但是气相扩散存在扩散时间长、气体消耗量大等缺点。为了克服这些缺点，本文提出了N-GaSb衬底表面固相成膜扩散，并通过实验成功制得结深约为200nm，空穴浓度为1018cm-3量级的GaSbPN结，为后续制备GaSb光伏器件奠定了良好的基础。
磁控溅射;Zn扩散;GaSbPN结;热光伏电池技术
长春理工大学
硕士
光学
王晓华;魏志鹏
2014
中文
TN364.2;TN305.92
51
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）