低限制因子半导体激光器研究
针对1060nm波段的半导体激光器外延结构，分析了影响激光器光限制因子的主要因素。根据分析，运用Lastip软件设计并优化了量子阱结构和波导结构，确定了以InGaAs/A1GaAs为材料体系，厚度约为1μm的对称及非对称宽波导低限制因子半导体激光器结构。并模拟计算了两种结构器件的光限制因子、功率、效率、内损耗等参数。 根据设计的非对称结构，在2A的工作电流、室温的条件下，对条宽为100μm、腔长为1000μm的器件进行了电流特性、功率特性、以及温度特性的实验测试。得到了器件的阈值电流为0.39A;出光功率为1.05W;远场垂直发散角为35°。根据进一步的计算得到了斜率效率ηd为0.92;电光转换效率η。为47.7％;特征温度T0为138.075℃。
半导体激光器;光限制因子;优化设计;非对称结构;器件测试
长春理工大学
硕士
光学工程
李特
2014
中文
TN248.4
70
2014-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）