超宽带低噪声放大器的设计
人类正经历着一场信息革命，而一切的革命都是为了满足未来的需求。从电报、电话、广播、电视的发明到计算机应用的普及，再到计算机与现代通信技术的结合，然后是云计算与物联网的兴起，我们对信息的需求呈爆炸式增长，超宽带技术（Ultra WideBand，UWB）应运而生。 而低噪声放大器（low noise amplifier，LNA）是所有无线接收机的必不可少的模块，高性能（阻抗匹配、噪声系数，线性度、平坦的功率增益、功耗等）的超宽带低噪声放大器(UWB-LNA)将是实现这一技术的必要组成部分，其性能直接影响超宽带接收机的整体性能。 本论文基于SMIC0.18 um RF CMOS工艺，研究了CMOS超宽带低噪声放大器的设计，探讨了超宽带低噪声放大器设计的理论研究，包括噪声理论、经典的二端口网络噪声理论、低噪声放大器的线性度分析和匹配理论;第三章是超宽带低噪声放大器的设计，包括以下五个主体内容:推导了设计指标、超宽带低噪声放大器结构的选择、三种低功耗低噪声设计技术的介绍、一种改进的低噪声放大器设计方法以及具体的电路拓扑结构;第四章，是所设计的两个超宽带低噪声放大器重要指标的前仿真结果;第五章，是版图和后仿真;第六章，是总结。 本论文设计了两个超宽带低噪声放大器，带宽分别为3.1GHz到10.6GHz，3.1GHz到8GHz。前仿真结果表明，两放大器在工作频率上，1.8V电源电压下，噪声系数NF分别低于3.88dB和3.32dB，其输入匹配特性S11小于-10dB，增益S21分别大于12dB和16dB，输入三阶交调点均优于-9dBm，各项性能指标均达到了设计目标的要求。此外，还对电路进行了后仿真，给出了更接近真实性能的数据。
超宽带技术;低噪声放大器;电流复用;射频接收机;CMOS工艺
北京交通大学
硕士
微电子学与固体电子学
刘章发
2013
中文
TN722.3
87
2014-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）