光学表面等离子体加工机理研究
随着光学领域及其相关技术的发展，尤其是短波段光学和强激光技术的发展，要求光学元件表面粗糙度小于1nm，并且无表面及亚表面的损伤。等离子体加工是目前能够获得超光滑表面的一种新兴的、有潜力的加工技术。
本文以等离子体加工装置为平台，研究了基片的表面处理技术和不同表面状况对等离子体去除速率和表面粗糙度的影响；分析探讨了不同工艺参数，包括气体流量、射频功率、磁场强度、抛光时间等与去除速率和表面粗糙度之间的关系。明确了等离子体特性与去除速率以及表面粗糙度之间相互依存的关系，初步揭示了光学表面等离子体加工机理。实验研究结果表明：采用100MHz等离子体电源加工效果优于13.56MHz；去除速率随氧气流量增加呈先上升后下降趋势，随射频功率增加呈上升趋势，随磁场强度的增加呈上升趋势；光学表面粗糙度随氧气流量的增加呈先上升后下降趋势，随射频功率增加呈下降趋势，随磁场强度的增加呈下降趋势；抛光20min后有明显的去除量，并且去除量随抛光时间线性增加，表面粗糙度下降，直到抛光80min后呈上升趋势；不同表面状况时，去除速率不同，当基片表面有乙二醇甲醚涂层时，去除速率最大达到6.7nm/min，表面粗糙度值达到最小为0.83nm（RMS）。
光学材料;表面精整;抛光工艺;等离子体加工
西安工业大学
硕士
光学工程
刘卫国
2010
中文
TB342;O539
63
2010-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）