立方氮化硼薄膜的射频溅射制备和光学性质研究
本文主要研究工艺参数对制备立方氮化硼的影响,立方氮化硼的光学性质和退火相变机理。
用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气和氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为40％时得到理想的六角氮化硼薄膜根据Si片上BN薄膜的反射光谱R(λ),利用matlab6.5编程计算了BN薄膜的光学带隙、折射率以及吸收系数等。并且利用编程计算出的光学带隙与经验公式所得出的结论非常吻合。
采用热退火技术研究了h-BN到c-BN的转变机理,以及缺陷对相变的影响。对一组样品进行退火处理,退火温度从800℃到1000℃,发现样品在900℃时发生明显的h-BN→c-BN转变,并且在1000℃发生从c-BN→h-BN相变。从而得到了BN转变的一个可能途径:h-BN→c-BN→h-BN。
立方氮化硼;半导体材料;光学性质;退火相变机理;氮化硼薄膜
北京工业大学
硕士
凝聚态物理
邓金祥
2008
中文
O484.41
73
2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）