化学修饰电极的制备及其在流动注射不可逆双安培法中的应用研究
论文从方法、原理及性能等方面对化学修饰电极的设计、表征及催化效能进行了论述。并将其应用于构建流动注射不可逆双安培分析，对化学修饰电极中的自组装修饰、电聚合修饰及纳米粒子的接附修饰三类电极的设计进行了探讨，并对其在电化学催化氧化、电流增敏等应用机理进行了理论研究。其具体研究内容如下：
1．利用S-Au键的强相互作用，在裸金电极上制备了L-半胱氨酸自组装膜金修饰电极(L-Cys/SAM-Au/CME)，研究了阿魏酸在其上的电化学行为。将自组装膜修饰电极用于流动注射不可逆双安培(FI-IB)体系的构建，利用阿魏酸在L-Cys/SAM-Au/CME上的氧化和高锰酸钾(KMnO4)在裸金电极上的还原构建双安培检测新体系。氧化峰峰电流与阿魏酸浓度在5.0×10-7～8.0×10-5mol/L范围内呈线性关系，其线性回归方程为i(nA)=4.16×107 C+50，在1.0×10-4～1.0×10-3mol/L范围内呈线性关系，其线性回归方程为i(nA)=5.6×106C+300，检出限为1.2×10-7mol/L，并应用于阿魏酸钠盐注射液中阿魏酸的测定，结果满意。
2．在N,N-二环已基碳酰亚胺(DCC)存在介质下，通过酰氨键使多壁碳纳米管(MWCNTs)与L-半胱氨酸(L-Cys)缩合，功能化的MWCNTs通过结构中的S-Au键自组装接着于金电极表面，制备MWCNTs-L-Cys-Au/SAMs-CME，实现了对金电极的MWCNTs、L-Cys共组装修饰，并对其结构进行谱学与电化学表征。探讨了其对Rev的电催化氧化机理。氧化峰峰电流与白藜芦醇浓度在1.0×10-5～2.0×10-7mol/L范围内呈线性关系，其线性回归方程为i(nA)=2.57×106C-260，在2.0×10-3～2.0×10-5 mol/L范围内呈线性关系，其线性回归方程为i(nA)=1.65×107 C-420，方法检出限为8.0×10-8mol/L。该方法具有较高的选择性和灵敏度、样品处理方法简单快速。测定了虎杖及葡萄酒中Rev的含量，结果满意。
3．利用循环伏安法(CV法)将单体L-苏氨酸(Lry)在铅笔芯电极循环聚合，以形成导电性聚合物修饰膜(P-Lry)，探讨了铅笔芯修饰电极上的最佳聚合条件，并对其进行微观显象表征。研究了药物盐酸异丙嗪在该修饰电极上的电化学行为。在pH 6.8磷酸盐缓冲溶液(PBS)中，该氧化峰峰电流(ipa)与盐酸异丙嗪浓度在2.0×10-6～1.5×10-3mol/L范围内呈线性关系，方法检出限为8.5×10-7mol/L(S/N=3)。对盐酸异丙嗪片剂测定结果满意。
4．在玻碳电极基底上成功的制备了MWCNTs修饰电极(MWCNTs/GCE-CME)，并对其表面结构进行显微表征。研究了双嘧达莫(DPD)在该修饰电极上的电化学行为及多种表面活性剂对DPD在MWCNTs/GCE-CME的影响。尝试提出MWCNTs对药物分析中的电催化氧化机理的推论。将包含有MWCNTs的MWCNTs/GCE-CME应用于FI-IB体系的构建，建立了在SDS介质下，直接测定DPD的新方法。在0.05 mol/L H2SO4介质溶液中，其ipa与DPD浓度在1.0×10-3～1.5×10-6mol/L范围内呈线性关系，方法检出限为8.0×10-7mol/L。该方法对双嘧达莫片剂测定结果满意。
化学修饰电极;流动注射不可逆双安培分析;电化学催化氧化;电流增敏
广西大学
硕士
分析化学
吴健玲;李利军
2008
中文
O657.1
75
2008-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）