二元Ni-Al合金中化学成分对其微结构的影响
本文以正电子湮没辐射Doppler展宽谱仪、正电子湮没寿命谱仪等为实验手段，研究了不同化学成分的二元Ni-Al合金的微观缺陷结构和成键电子密度；讨论了退火温度对合金微观缺陷和电阻率的影响。
由于过渡元素Ni存在尚未配对的3d电子具有很好的局域性，当它与多价Al元素形成化合物时，Al原子提供价电子与Ni原子的3d电子形成了共价键。共价键电子的局域性好，使得Ni-Al合金基体中形成金属键的自由电子密度降低，合金中金属键与共价键共存。
实验结果表明：Ni3Al合金中的自由电子密度比NiAl合金的高。在这两种合金中，共价键成分均随合金中Al含量的增加而增大。
在Ni3Al系合金中， Ni75Al25合金的电阻率最低，缺陷的开空间最小；偏离该成分，电阻率升高，缺陷的开空间增大。在Ni3Al系合金中均存在着开空间大于单空位或位错的缺陷。
在NiAl系合金样品中，Ni50Al50合金的电阻率最低，缺陷的开空间最小；偏离该成分，电阻率升高，缺陷的开空间增大。在NiAl系合金中存在着开空间较大的微孔洞。
在Ni3Al系合金样品中，随着退火温度的升高，合金中的空位回复，空位浓度降低，合金电阻率随退火温度的升高而下降。但在B2-NiAl系合金中，由于合金中存在开空间较大的微孔洞，这些缺陷在退火温度低于1200℃时不易回复，合金电阻率随退火温度升高变化不大。
正电子注入到Ni75Al25合金晶格后，它们的波函数被局域在L12结构中由6个Ni原子围成的八面体间隙中，并与Ni原子的电子发生湮没。
NiAl合金;化学成分;微结构;退火温度;电阻率
广西大学
硕士
理论物理
邓文
2008
中文
TG146.15;TG113.12
53
2008-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）