适用于SiC薄膜生长的RTCVD装置及工艺探索
本文主要探索适用于碳化硅薄膜生长的RTCVD装置，并对生长工艺进行了初步探索。主要工作包括：1．针对本课题要求的RTCVD设备的反应腔大、工作温度高和升温速度快的特点，首先对设备升温条件进行能量计算；接着从反射腔材料选择和形状设计等方面出发，利用计算机模拟最终设计出为每根灯管分别反射辐射能的圆柱面形反射罩。通过制作反射罩进行加热试验，最终用14根2000w的碘钨灯在1分钟内将样品加热到1200℃。2．针对以前气路堵塞的问题设计并制作了气路系统，使氢气在反应后能够通过阀门控制对气路进行冲洗。3．设计并制作了尾气处理装置，使设备排出的尾气能够经氮气稀释和碱水清洗而除掉其中的SiH_4等易燃有害气体。4．使用RTCVD装置对生长β-SiC薄膜的工艺进行了初步探索。
碳化硅薄膜;薄膜生长;RTCVD装置;材料物理化学;薄膜技术;薄膜物理学
西安理工大学
硕士
材料物理化学
陈治明;马剑平
2004
中文
O484.1;TB43;TN304.055;TN304.24
47
2006-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）