TiO_2薄膜的制备及特性表征
TiO_2半导体由于其优越的气敏、湿敏、光催化、光伏特性，自洁净等多种功能，在工业应用领域中显示诱人的前景。TiO_2薄膜气敏元件具有性能一致性好，易于集成化等优点，一直受到人们的广泛关注。发展TiO_2薄膜传感器，首要问题是了解和改善TiO_2薄膜的微观结构和性能。本实验是采用磁控溅射方法，在不同的温度下制备了TiO_2薄膜，并对薄膜进行了不同温度和时间的退火处理，通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等检测手段对薄膜的表面形貌和组成结构进行了分析，结果如下：(1)溅射工艺条件与薄膜沉积速度的关系表明：采用1.2Pa工作气压，180W的射频功率TiO_2薄膜的沉积速率为40nm／h，并随射频功率的增加而提高，呈近似的线性关系，在0.3Pa～1.6Pa气压范围中，氩气压强升高沉积速率迅速增加，溅射温度提高和退火处理能使薄膜的厚度减小和折射率提高。(2)常温下制备的TiO_2薄膜是无定型的，300℃溅射薄膜表面有致密的晶粒，热处理温度升高，晶粒变大，晶相开始转化，800℃退火TiO_2完全转化为金红石结构。
磁控溅射;二氧化钛薄膜;薄膜传感器;亲水性
暨南大学
硕士
凝聚态物理
刘彭义
2003
中文
TN304.055;TN305.92
51
2006-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）