N型宏孔硅/TiO2光电极的制备及光电特性研究
光解水是解决能源问题的重要途径之一，如何提高半导体光电极的分解水性能是这一领域研究的热点问题。因此构建了三维孔道N型宏孔Si/TiO2纳米线异质结构来作为光电极。本文通过光辅助电化学腐蚀法制备了N型宏孔硅衬底，利用硅的各向异性腐蚀特性对宏孔硅整形，通过水热法将 TiO2纳米线覆载到宏孔硅上从而得到了三维 N型Si/TiO2异质结构。通过XRD、扫描电镜、EDX等实验表征，证实了N型宏孔Si/TiO2纳米线异质结构的形成。通过紫外-可见漫反射光谱实验，发现 N型宏孔硅与 TiO2纳米线的复合异质结在紫外-可见波段具有最强的吸收。通过光电性能测试，发现 N型宏孔Si/TiO2纳米线作为光电极的光电流最高。上述结果显示了 N型宏孔 Si/TiO2纳米线异质结构作为光电极提高了光解水的活性。
光阳极;纳米线;光电特性;电化学腐蚀;光电性能
长春理工大学
硕士
物理电子学
杨继凯
2015
中文
TN305
47
2016-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）