毫米波GaN基HEMT器件研究
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状,提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义;并对GaN基HEMT器件的基本结构和工作原理进行了简单的介绍。 对GaN基HEMT器件的设计进行了仿真研究。基于新一代TCAD工具-Sentaurus Device中的物理模型的合理选择及参数修正,进行GaN基HEMT器件的设计模拟;研究了T栅尺寸对fT/fmax的影响,为实验提供参考。通过仿真实验可得到以下结论:栅帽宽度同时影响Rg、Cgs和Cgd。随着栅长(>100nm)减小,fmax单调增大。 研究了短沟道效应对毫米波AlGaN/GaN HEMT器件直流和频率特性的影响。当栅长缩短至50nm时,栅控能力严重下降,亚阈值电流会急剧增加,最大直流跨导下降,器件阈值电压严重漂移,最终导致器件频率特性和功率特性衰退。分析了器件电流增益截止频率的变化情况,发现当栅长从250nm减小到50nm时,fTLg从13.4GHzμm下降至4.4GHzμm。最后分析了栅长-沟道纵横比和器件性能退化的关系,发现当纵横比减小至6时,阈值电压漂移超过25%,fTLg下降约32%。 在建立精准的仿真模型并提出优化后各项参数范围的基础上,不断突破工艺水平,制备出AlGaN背势垒结构InAlN/GaN HEMT器件,频率特性fT、fmax分别达到60GHz、105GHz;制备出AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、fmax分别达到102 GHz和147 GHz。 建立了GaN基HEMT器件小信号等效电路模型。系统地分析了AlGaN/GaN HEMT器件的各种电学机制,建立了包括寄生元件和本征元件在内的小信号等效电路模型。基于器件在不同偏置电压下测试得到S参数,将S参数转化成Y参数与Z参数,对小信号等效电路的元件参数进行提取。实验表明,为验证的准确性,把提参算法提取的小信号参数代入到等效电路中进行S参数仿真,并与实际测试的参数进行比较,分析表明,提参算法提取参数的仿真结果与测试数据符合很好。
毫米波;GaN材料;HEMT器件;基本结构;电学机制
河北工业大学
博士
微电子学与固体电子学
赵正平
2013
中文
TN386
114
2015-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)