学位专题

封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
注释表
第1章绪论
1.1 课题研究背景及意义
1.2 国内外研究现状
1.3 SiC MOSFET、Si MOSFET与Si IGBT性能相比
1.4 本文主要内容和章节安排
第2章 SiC MOSFET特性分析及建模基础
2.1 引言
2.2 SiC MOSFET结构
2.3 SiC MOSFET特性优势及参数
2.4 SiC MOSFET开关特性分析
2.5 本章小结
第3章基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET建模与仿真
3.1 引言
3.2 基于传统仿真软件对SiC MOSFET的建模仿真
3.3 Matlab/Simulink中模型的建立
3.4 Matlab/Simulink中器件模型的验证分析
3.5 本章小结
第4章寄生参数对SiC MOSFET高频动态特性的影响
4.1 引言
4.2 寄生电感对SiC MOSFET高频动态特性的影响
4.3 栅极驱动电阻对SiC MOSFET高频开关特性的影响
4.4 寄生电容对SiC MOSFET高频开关特性的影响
4.5 本章小结
第5章 SiC MOSFET实验平台设计及验证
5.1 引言
5.2 实验平台硬件设计
5.3 控制系统实验平台软件设计
5.4 实验结果及分析验证
5.5 本章小结
第6章总结和展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果