学位专题

封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
1 绪论
1.1 课题的背景及意义
1.2 低功耗电压基准源的研究现状
1.3 研究内容以及组织结构
2 亚阈值MOS管的基本原理
2.1 亚阈值MOS管的基本特性
2.1.1 亚阈值MOS管的导电原理
2.1.2 MOS管阈值电压的温度特性
2.1.3 亚阈值MOS管的电流特性
2.2 亚阈值MOS管的DIBL效应
2.3 本章小结
3 纳瓦级低电压基准源的电路设计
3.1 纳瓦级低电压基准源的结构框图
3.2 电压基准源的性能参数
3.2.1 功耗
3.2.2 线性敏感度
3.2.3 温度系数
3.2.4 电源抑制比
3.3 带有DIBL效应补偿的纳瓦级低电压基准源
3.3.1 基准核心产生模块及其偏置电路的设计
3.3.2 DIBL效应补偿电路模块的设计
3.3.3 启动电路的设计
3.3.4 基准放大模块及输出工艺鲁棒性设计
3.4 面向能量采集的电压检测模块设计
3.4.1 电压比较模式电压检测
3.4.2 电流比较模式电压检测
3.5 本章小结
4 纳瓦级低电压基准源整体电路仿真与验证
4.1 输出特性仿真
4.2 功耗仿真
4.3 线性敏感度仿真
4.4 温度系数仿真
4.5 电源抑制比仿真
4.6 其他特性仿真
4.6.1 启动时间
4.6.2 电压检测器的翻转
4.7 本章小结
5 版图设计与后仿真验证
5.1 HHGrace110nm工艺库版图设计
5.1.1 版图布局与测试方案
5.1.2 版图设计规则
5.2 版图后仿真及结果讨论
5.3 芯片测试准备
5.4 本章小结
6 总结与展望
6.1 本文总结
6.2 未来展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间取得的学术成果
附录2 缩略语