学位专题

封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
1 绪论
1. 1 引言
1. 2 新型非易失存储技术
1.2.1 磁随机存储器
1.2.2 铁电随机存储器
1.2.3 阻变随机存储器
1.2.4 相变随机存储器
1. 3 硫系相变材料的探索与发现
1. 4 压应力调控研究的意义
1. 5 压应力调控硫系相变材料的结构与性质
1.5.1 相变材料GeTe的压应力行为
1.5.2 相变材料Sb2Te3的压应力行为
1. 6 论文的主要内容及意义
2 压应力实验与模拟计算分析方法
2. 1 压应力的实验与模拟
2.1.1 静水压力实验
2.1.2 压应力模拟方法
2. 2 第一性原理计算基础
2.2.1 密度泛函理论
2.2.2 第一性原理分子动力学
2. 3 模拟计算结果的分析方法
2.3.1 分子动力学结构分析
2.3.2 静态原子和电子结构分析
3 传统相变材料Ge2Sb2Te5结构和性质的压应力调控
3. 1 引言
3.2 Ge2Sb2Te5在静水压力下的相变行为概述
3.2.1 非晶GST在压力下的结构与性质变化
3.2.2 压力下空位引起的rs-GST非晶化
3.2.3 压力下的再结晶
3.3 立方岩盐相Ge2Sb2Te5在双轴应力下的结构演变
3.4 应力辅助的熔融淬火形成的非晶Ge2Sb2Te5的基本结构
3.5 压缩应变条件下Ge2Sb2Te5的结晶过程
3. 6 本章小结
4 新型相变材料Cr2Ge2Te6在压应力下的结构和电学性能
4. 1 引言
4. 2 压力诱导晶态-晶态重构型结构相变
4. 3 压力诱导原子翻转引发非晶化过程
4.4 压力下Cr2Ge2Te6的电学性质与电子结构
4.5 双轴应力下Cr2Ge2Te6的结构演变
4. 6 本章小结
5 新型相变材料Cr2Si2Te6在压应力下的结构相变
5. 1 引言
5.2 压力下Cr2Si2Te6的结构相变过程
5. 3 相同初始结构的不同压致相变机理
5.4 压力下Cr2Si2Te6性质的第一性原理预测
5.5 双轴应力下Cr2Si2Te6的原子和电子结构
5. 6 本章小结
6 总结与展望
6. 1 本文主要内容及结论
6. 2 本文的主要创新点
6. 3 展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间取得的研究成果
附录2 公开发表的学术成果与博士学位论文的关系
附录3 中英文缩写对照表