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目录
1 绪论
1.1 二维硫属半导体概述
1.2 二维硫属半导体的掺杂研究现状
1.2.1 气相掺杂法
1.2.2 外场调控法
1.2.3 表面电荷转移法
1.3 二维硫属半导体中离子交换研究现状
1.4 选题目的、意义及研究内容
1.4.1 选题目的和意义
1.4.2 研究内容
2 离子交换P型掺杂二维硫属半导体
2.1 引言
2.2 实验操作与测试表征方法
2.2.1 实验试剂和设备
2.2.2 材料制备与器件构筑
2.2.3 室温离子交换掺杂
2.2.4 器件封装方法
2.2.5 表征测试方法
2.2.6 光电性能测试
2.3 掺杂机理与结构表征
2.3.1 能带结构理论计算
2.3.2 结构物相表征
2.4 电学性能测试
2.5 光电性能测试
2.6 掺杂普适性测试
2.7 掺杂稳定性测试
2.8 本章小结
3 离子交换选择性掺杂构筑面内PN结
3.1 引言
3.2 面内PN结构筑方法
3.2.1 实验试剂和设备
3.2.2 面内PN结构筑
3.3 功函数测试方法
3.4 PN结功函数测试
3.5 PN结光电性能
3.6 本章小结
4 总结与展望
4.1 本文主要内容及总结
4.2 本文的主要创新点
4.3 展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间取得的研究成果