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目录
1 绪论
1.1 过渡金属二硫族化合物
1.1.1 过渡金属二硫族化合物的晶格结构
1.1.2 过渡金属二硫族化合物的优异性能
1.1.3 2H相NbSe2与2H相MoSe2
1.2 拓扑超导
1.2.1 拓扑
1.2.2 拓扑超导与马约拉纳零能模
1.3 拓扑超导与斯格明子
1.3.1 斯格明子
1.3.2 实现斯格明子的方法与利用斯格明子寻找MZM
1.4 本文主要内容
2 实验仪器和原理
2.1 扫描隧道显微镜原理与技术
2.1.1 STM的基本原理
2.1.2 STM的工作模式
2.1.3 利用STM技术测量超导能隙
2.2 超高真空技术
2.3 针尖和样品的制作与处理
2.3.1 针尖的制作
2.3.2 针尖处理与标定
2.3.3 样品的制作与处理
2.4 实验设备简介
3 二维锰碲化合物的生长和电子性质的研究
3.1 研究背景
3.1.1 MnxTey化合物的多态性
3.1.2 α-MnTe，β-MnTe，γ-MnTe晶格结构、电子性质和磁性特征
3.2 实验方法
3.3 MnxTey薄膜的STM研究
3.3.1 晶格结构分析
3.3.2 电子态分析
3.3.3 结论
3.4 B相MnxTey薄膜的磁性与拓扑超导性的研究
3.5 本章小结
4 二硒化钼薄膜的生长和电子性质的研究
4.1 研究背景与研究目的
4.2 实验方法
4.3 MoSe2薄膜的形貌与晶格结构
4.3.1 3个MoSe2样品
4.3.2 MoSe2薄膜的形貌与晶格结构分析
4.4 MoSe2薄膜的电子态分析
4.4.1 石墨（HOPG）与双层石墨烯（BLG）上的MoSe2
4.4.2 （100）面钛酸锶（STO）上的MoSe2
4.5 本章小结
5 总结与展望
5.1 全文总结
5.2 展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间取得的研究成果