电场诱导直接生长碳纳米管技术研究
碳纳米管（CNT）自从发现以来，由于其独特的性质在各个领域有着广泛的应用。热化学气相沉积（CVD）法具有成本低、生长过程中的参数更易控制、适合原位生长等优点，在CNT薄膜制备时被很多实验采用。 同时，基底阳极化工艺与在合金片上直接生长技术相结合，CNT与基底之间的结合力更强、接触电阻更小。本论文工作将电场诱导与CVD直接生长技术结合，在合金基底上得到了垂直排列多壁碳纳米管（MWNT）薄膜，MWNT直径约50nm、长度约2-3μm。施加电场生长的MWNT的晶体性优于未加电场生长的MWNT，它们的ID/IG平均值分别为0.76和0.87。本文所得到的垂直排列MWNT与随机排列的MWNT相比，在相同的外加电场下会有更高的场发射电流密度，它们的开启电场分别为3.0V/μm和3.8V/μm。虽然垂直排列的MWNT阴极发射稳定性良好，但是发射电流偏小，这源于碳纳米管过于密集，电场屏蔽效应较强。
多壁碳纳米管;化学气相沉积;垂直排列;场发射
温州大学
硕士
凝聚态物理
董长昆
2021
中文
TB383
2022-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）