氧化物薄膜纳米叠层工艺及电阻特性研究
本研究采用原子层沉积技术（ALD）来制备 ZnO/Al2O3薄膜，通过调整ALD脉冲序列， ZnO/Al2O3薄膜中的ZnO成分比例可在0-100％范围内调节，调整沉积温度与前驱体的通气时间，可以改善ZnO/Al2O3薄膜的包覆性。利用SEM和ICP-AES法对薄膜表面形貌和成分进行分析，并通过对不同温度、不同热处理时间、不同热处理气氛三个因素的调控，来探究退火处理对薄膜电阻特性的影响。结果表明：随着前驱体反应时间的增加和沉积温度的提升，ZnO/Al2O3薄膜的包覆性得到改善。ALD技术制备的ZnO/Al2O3薄膜生长致密均匀，但由于存在ZnO的腐蚀亏损，实验制得的薄膜厚度比设计的厚度值要小。同时发现薄膜的电阻会随着Zn含量的增加而降低，退火处理也对薄膜的电阻影响不大。
氧化物薄膜;原子层沉积;纳米叠层;电阻效应
长春理工大学
硕士
物理电子学
端木庆铎
2016
中文
O484.1;O484.4
52
2017-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）