高应变InGaAs多量子阱材料外延及发光特性
本文通过理论分析，模拟设计了高应变InGaAs多量子阱激光器，并着重讨论了应变对InxGa1-xAs/GaAs多量子阱激光器的影响。激光器的输出波长为1.06μm，阈值电流为194.8mA。在结构上，采用双模式扩展层多量子阱结构，远场垂直发散角降低到13°。对高应变InGaAs多量子阱激光器的阈值电流、限制因子和远场垂直发散角进行了深入研究，并且发现其具有较低的内损耗和较高的特征温度。对所设计的激光器的有源区进行外延生长，通过对比实验和常温PL(光荧光)测试，详细讨论了Ⅴ/Ⅲ比值、生长速率和衬底偏向角度等条件对样品发光特性的影响。实验发现在生长温度为650℃、Ⅴ/Ⅲ比值为50、生长速率为1.15μm/h、GaAs衬底(100)偏<111>2o的条件下，可以获得高质量的外延材料。
激光器设计;光学材料;铟砷化镓;多量子阱
长春理工大学
硕士
物理电子学
李林
2016
中文
TN242;TN244
58
2017-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）