10.3969/j.issn.1009-0134.2013.05(下).11
基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工
本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法.为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化.通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率.实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579 mμ;材料去除率达到1.53/ minmμ.
双面研磨轨迹优化、碳化硅衬底、均匀性、材料去除率
TH162
2013-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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