10.3969/j.issn.1009-0134.2011.4b.30
碳化硅功率场效应功率晶体管仿真模型及其驱动研究
研究碳化硅结型场效应功率晶体管的静、动态性能及仿真模型,针对高速开关时的碳化硅器件开关震荡,提出有效抑制震荡与减小容性电流影响的碳化硅功率晶体管驱动电路.在分析器件半导体物理结构、测量碳化硅器件特性参数的基础上建立器件仿真模型,通过器件开关特性的仿真,分析了电路的驱动电压、开关速度、dv/dt及不同的驱动情况下对驱动电路压降的影响.结果表明,碳化硅结型场效应功率晶体管具有通态电阻低、损耗小、开关速度高的特点,驱动电路能有效地工作于高频状态下,开关震荡小,有利于器件应用在高性能的电力电子装置中.
碳化硅、结型场效应晶体管、开关特性、驱动
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TN323(半导体技术)
河南省科技厅科技发展计划项目102102210212
2011-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
105-108
