10.3969/j.issn.1009-0134.2010.02.036
化学机械抛光机理研究
虽然CMP过程材料去除机理得到了广泛深入研究,取得了许多理论成果,但是每一种理论都存在着或多或少的缺陷,没有一种理论完全正确的解释了CMP的机理.在众多CMP材料去除机理里,比较得到认可的是抛光垫、颗粒和工件表面三体磨损理论和化学腐蚀理论[1～4].但是表面质量较好的工件在CMP之后没有观察到划痕,三体磨损理论受到了极大的挑战.而化学腐蚀理论很难解释腐蚀速度和腐蚀后表面质量关系[5,6].本文结合CMP过程的实际环境,实验得到了化学机械抛光的抛光机理.
粗集理论、SPSS、多媒体教学效果、综合评价
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TH117
2010-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
118-119,139
