10.16542/j.cnki.issn.1007-4856.2015.03.004
EABR与人工耳蜗电极植入深度关系的初步研究
目的 初步探讨人工耳蜗电极植入深度和术后电诱发听性脑干反应(EABR,Electrically evoked auditory brainstem responses)及电诱发听神经复合动作电位(electrically evoked compound actionpotentials,ECAP)的相关性. 方法 选取耳蜗形态正常植入奥地利标准电极患者24例,术后头颅侧位片检查判断电极全植入. 根据电极耳蜗内位置分为E9-E12耳蜗底区、E5-E8耳蜗中区、E1-E4耳蜗顶区三部分,分别记录各区域EABR阈值及波形特点和对应区域的ECAP阈值,分析其间相关性. 结果蜗顶部、蜗中部、蜗底部EABR引出率分别为87.50%,83.33%,79.16%;ECAP引出率分别为91.67%,79.17%,75%;EABR波V阈值为分别为(20.13±5.91)qu,(22.98±4.82)qu,(26.71±6.25)qu;ECAP阈值分别为 (21.61±4.18)qu,(23.28±3.70)qu,(29.18±3.74)qu.结论 蜗顶部和蜗中部EABR及ECAP引出率高于蜗底部,自蜗顶区至蜗底区EABR和EACP阈值依次增高,相同植入深度电极的EABR阈值低于ECAP阈值.
人工耳蜗、植入深度、电诱发听性脑干反应、电诱发听神经复合动作电位、相关性
23
R31;B84
卫生行业科研专项项目201202001-04
2015-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
254-257
