Annexin V/PI双标记检测高电压脉冲电场诱导K562细胞凋亡的研究
目的:探讨高电压脉冲电场诱导红白血病细胞K562和淋巴细胞凋亡的最佳参数.方法:调节电场强度和脉冲频率分别作用K562细胞和淋巴细胞后,用Annexin V/PI Kit标记凋亡细胞,流式细胞术检测凋亡细胞的百分比;设计正交试验确定电场诱导K562细胞凋亡的最优参数组合; 电场作用K562细胞与淋巴细胞(1∶ 1)混合悬液进行选择性诱导凋亡;MTT法检测电场作用后的K562细胞与淋巴细胞的增殖.结果:K562细胞的凋亡率随着脉冲频率的增加而升高,当脉冲频率为30 Hz时,凋亡率高达79.13%;K562细胞和淋巴细胞的凋亡率均随着电场强度的增加而升高,在电场强度达到30 kV/cm时,二者的凋亡率分别达82.40%、57.08%.诱导K562细胞凋亡的最优参数组合为脉冲宽度1 μs、电场场强25 kV/cm、脉冲个数为12个.K562细胞与淋巴细胞混合液在电场作用下发生凋亡的细胞百分比具有显著性差异(P＜0.05);K562细胞与淋巴细胞经相同条件的电场作用后,二者生存率比较,差异显著(P＜0.05).结论:利用高电压脉冲电场使癌细胞选择性失活是可行的.
高电压脉冲电场、K562细胞、淋巴细胞、凋亡
24
R392.1
吉林省科技厅科研项目20050402-3
2008-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
161-166
