10.3969/j.issn.2095-2783.2018.06.013
Au掺杂碲镉汞的第一性原理计算
为揭示Au掺杂碲镉汞(Hg1-xCdxTe)的成键机制、电学性质与Cd组分x之间的关系,研究利用基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)框架下的第一性原理平面波赝势方法对Au掺杂Hg1-xCdxTe(x=0.25,x=0.50,x=0.75)的原子弛豫量、电荷密度、电子局域函数(electron localization functions,ELFs)、态密度(density of states,BOSs)和能带结构进行了计算,并采用最先进的HSE(Heyd-Scuseria-Ernzerhof)杂化泛函方法修正带隙.结果表明,Au掺杂Hg1-xCdxTe结构具有一定的稳定性;Au原子的掺入对组分x=0.25、x=0.50这2种组分的Hg1-xCdxTe的价带顶端作用较为明显,更容易形成p型掺杂;Au掺杂Hg1-xCdxTe的带隙宽度与组分x之间的表现为近似线性关系.
光学、碲镉汞、第一性原理、杂化泛函、金掺杂、电学结构
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TN213(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金资助项目91538201;“泰山学者”建设工程专项经费资助项目ts201511020
2018-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
679-685
