10.3969/j.issn.2095-2783.2018.05.008
形状各向异性对自旋霍尔存储器件特性的影响
为了能够分析横向尺寸小于100 nm的平面自旋霍尔存储单元的器件特性,通过引入椭圆薄膜磁体的退磁因子,建立了能够准确分析单元形状各向异性影响的宏自旋模型;给出了自由层磁矩脱离平衡态与反转的阈值电流密度表达式,并通过宏自旋模拟与微磁模拟验证了表达式的正确性;进一步分析了存储单元热稳定性,以及室温下的阈值反转电流密度与自由层形状的 关系.研究表明,上述关键性能指标可以通过合理设计自由层几何结构得到有效提升.
自旋霍尔效应、自旋转移效应、形状各向异性、磁性随机存储器
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O482.5;O488(固体物理学)
国家自然科学基金资助项目61274089
2018-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
528-532
