10.3969/j.issn.2095-2783.2017.23.012
寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响
为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律.实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,CJ增大时会引起电流尖峰的增加.
电力电子、碳化硅、寄生电容、MOSFET
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TM315(电机)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20123218120017;国家自然科学基金资助项目51677089;江苏省研究生培养创新工程资助项目SJLX16_0107;南京航空航天大学研究生创新基地实验室开放基金资助项目kfjj20170308;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目NJ20160047 ,NS2015039
2018-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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