10.3969/j.issn.2095-2783.2017.22.019
退火对MBE生长GaAs0.91 Sb0.09晶体质量和发光特性影响研究
为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs0.91 Sb0.09材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析.对40 K时GaAs0.91 Sb0.09合金光致发光谱进行分峰拟合,获得3种样品的局域能深度分别为26、31和35 meV.结果表明:退火处理使合金中As、Sb组分互扩散,合金局域能加深,但退火使GaAs0.91 Sb0.09局域态发光比例降低,带边发光的比例提高.
GaAs0.91 Sb0.09、分子束外延、热退火、光致发光、局域态
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O472.3(半导体物理学)
国家自然科学基金资助项目61404009 ,61474010 ,61574022 ,61504012 ,61674021 ,11404219 ,11404161 ,11574130 ,11674038;国家重点研发计划项目2017YFB0405303;吉林省科技发展计划资助项目20160519007JH ,20160101255JC ,20160520117JH , 20160204074GX ,20160203015GX ,20170520117JH
2018-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2616-2620
