10.3969/j.issn.2095-2783.2017.04.022
Cu基底双层石墨烯的可控制备
提出采用改进的化学气相沉积(chenmical vaper deposition,CVD)方法,利用甲烷为碳源在展平的Cu箔表面直接制备双层石墨烯薄膜.通过细致研究甲烷气体流量、生长时间等参数对双层石墨烯成核密度的影响,进一步探讨双层石墨烯生长的机理和条件.研究利用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、光学显微镜、Raman光谱对石墨烯的表面形貌、结构和堆叠方式进行了表征,提出双层石墨烯的"高效生长时间"为双层石墨烯成核完成后到第1层石墨烯完全覆盖Cu箔之间的时间段.通过优化生长条件,制备出高成核密度(双层与单层石墨烯成核密度比接近0.95)和高覆盖度的双层石墨烯(其中AB堆叠双层石墨烯比例高达82.7%),实现展平Cu薄基底上高覆盖度双层石墨烯的可控制备.
纳米材料、双层石墨烯、化学气相沉积、成核密度
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O484.1(固体物理学)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20130121120017;国家自然科学基金资助项目51302233;福建省自然科学基金资助项目2015J06016
2017-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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