10.3969/j.issn.2095-2783.2017.02.017
一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路
提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路.脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大.实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6 ns.所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义.
SiCBJT、驱动电路、脉冲功率技术
12
TN783(基本电子电路)
湖南省自然科学基金资助项目2015JJ3043;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120161120012;国家自然科学基金资助项目61404048,51577054
2017-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
214-219
