10.3969/j.issn.2095-2783.2016.02.005
基于 LPIND 的硅基等离子天线
首先介绍了 LPIND（Lateral Positive‐Intrinsic‐Negative Diode）及其在硅基等离子天线方面的应用，并对LPIND进行建模，仿真分析了不同SOI（Silicon On Insulator）埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响，仿真结果显示，LPIND的自加热效应会降低本征区载流子浓度，通过改变埋层材料，增加埋层的热导率，可以减弱自加热效应。其次给出了L PIND本征区电导率的仿真结果，完成了基于L PIND的半波偶极子天线的设计与仿真，仿真结果显示，本征区电导率和硅衬底厚度会影响天线的回波损耗（S11）。最后总结了降低LPIND静态功耗的有效设计方法。
LPIND、自加热效应、硅基等离子天线、低功耗
TN826(无线电设备、电信设备)
国家自然科学基金资助项目61401237；天津市自然科学基金资助项目13JCQNJC01200；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20130031120034；国家级大学生创新创业训练计划资助项目201410055056
2016-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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