10.3969/j.issn.2095-2783.2015.18.002
多孔氧化镍膜的制备及其赝电容性能
为了进一步提高氧化镍的赝电容性能，制备了多孔氧化镍膜。采用合金-去合金法，通过电沉积锌、热处理、碱液除锌等步骤，分别在光亮镍基体和泡沫镍基体表面制备多孔氧化镍膜，研究了热处理温度对多孔氧化镍膜形貌和电化学性能的影响。实验结果表明，可以通过改变热处理温度来调控多孔氧化镍膜的孔径大小和孔密度分布。350℃热处理条件下制得的多孔氧化镍膜孔径较大，且孔分布均匀；与在其他热处理温度制得的样品相比，350℃热处理条件下制得的多孔氧化镍膜具有较大的比容量、较好的速率性能和较高的电化学循环稳定性。
去合金、多孔氧化镍、超级电容器、热处理
TM912
国家自然科学基金资助项目51174176；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120101110045
2015-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2106-2109,2116
