10.3969/j.issn.2095-2783.2015.17.021
金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线
采用金属辅助化学刻蚀法(HF/AgNO3溶液)在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列,深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机理,并研究了单晶硅表面纳米线阵列的光学性质。通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行了表征,探讨了金属辅助化学刻蚀的化学反应机理,研究了反应时间、反应温度等参数对硅纳米线形貌的影响,同时对硅表面纳米线阵列的反射率进行了测试。结果表明,硅表面纳米线阵列对可见光有很好的减反射性能,并且发现通过改变溶液浓度、延长反应时间及升高反应温度等,可以有效调节硅纳米线阵列的抗反射性能。这是由于表面引入的硅纳米线结构,不仅可以增加入射光光程,还可以连续调节空气与硅基底之间的空间有效折射率,起到减反的作用。研究表明,在相同刻蚀溶液浓度下,反应温度50℃时所获得硅纳米线阵列的减反射性能为最优。
硅纳米线、金属辅助化学刻蚀法、光学性质、反射率
O472(半导体物理学)
国家自然科学基金资助项目11304132,11304133,61376068;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20120211120003,20130211120009;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目lzujbky-2013-36,lzujbky-2014-30
2015-11-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2080-2082,2089