10.3969/j.issn.2095-2783.2015.17.015
模拟寿命谱分析 ZnO 正电子寿命
为研究寿命分解对 ZnO 缺陷寿命影响，模拟了 ZnO 中空位浓度在1015～1018 cm－3的含 Zn 空位、Zn 空位氢复合体、Zn＋O 双空位的 ZnO 正电子寿命谱并进行拟合分解。结果表明：当存在多于1种空位型缺陷浓度时，正电子寿命谱仍能很好地分解成2个寿命成分；当多于2种缺陷同时存在时，2个寿命拟合分解出的正电子寿命将出现虚拟寿命；仅利用体寿命模型评价正电子寿命谱分解过程是否合理并不十分可靠，需结合具体情况来判断拟合分解的结果是否具有物理意义。本文研究结果有助于在数据处理上分析 ZnO 中存在的具有争议的正电子体寿命及空位寿命。
正电子寿命、空位缺陷、ZnO
O571.33(原子核物理学、高能物理学)
国家自然科学基金资助项目11405115，11275142
2015-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2054-2058
