10.3969/j.issn.2095-2783.2015.16.010
透射式指数掺杂 AlxGa1-xAs／GaAs 光电阴极光学性能和量子效率仿真研究
为了更好地了解影响透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As／GaAs 光电阴极性能的因素，利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数，以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As／GaAs 光电阴极量子效率公式建模进行仿真，研究了光电阴极中 Alx Ga1-x As 窗口层、GaAs 发射层厚度变化及 Alx Ga1-x As 窗口层中 Al 原子数分数的变化对光学性能和量子效率的影响。结果表明：Alx Ga1-x As 窗口层厚度的变化和 Al 原子数分数的变化对光学性能和量子效率的短波区域影响较大，而 GaAs 发射层的厚度变化对长波和短波区域均有影响。
Alx Ga1-x As/GaAs 光电阴极、透射式、光学性能、量子效率
TN223(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金资助项目61301023；高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20133219120008
2015-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1916-1919,1931
