10.3969/j.issn.2095-2783.2015.04.022
Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征
使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜.不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火.采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明:ZnOSe薄膜具有良好的(002)择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电.
p型掺杂、ZnOSe薄膜、脉冲激光沉积、表征
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TN304.2(半导体技术)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110101110013
2015-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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