10.3969/j.issn.2095-2783.2015.04.010
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET).SiO2/GaNMOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaNMOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究.正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaNMOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用.
氮化镓、二氧化硅、场效应管、等离子增强化学气相沉积、陷阱、正向偏压
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TN303(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目51177175,61274039;国家重点基础研究发展计划973计划资助项目2010CB923200,2011CB301903;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110171110021;国家国际科技合作专项资助项目2012DFG52260;国家高技术研究发展计划863计划资助项目2014AA032606
2015-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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